英諾賽獲英偉達青睞惟有回套風險

英諾賽科（2577）近日宣布，旗下氮化鎵（GaN）電源解決方案正式納入NVIDIA（英偉達，美：NVDA）800V直流電源架構生態圈，成為該高效能AI數據中心供電標準的合作夥伴之一。消息一出，市場情緒迅速升溫，股價連升兩日急升，成交金額大增。

集團為一間總部位於蘇州的功率半導體企業，專注於硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平台，涵蓋設計、晶圓製造、器件封裝及模組系統，為業界少數具備垂直整合製造能力（IDM），並已量產8吋GaN晶圓的企業之一。產品廣泛應用於AI伺服器、數據中心、車規電源、工業自動化、快充電源等領域，電壓範圍由15V到1200V，覆蓋高頻、高效率、高功率密度的要求，屬於新能源與高效能運算趨勢下重要支援技術。

英諾賽科去年收入8.28億元（人民幣，下同），按年增長39.8%，海外收入佔比擴大至15.3%，按年增長超過一倍，反映產品逐步獲得國際市場認可。其中，GaN晶片與IC收入大增近88%、GaN晶圓銷售亦增長約34%。全年交付晶片總數突破6.6億顆，應用涵蓋消費電子、新能源汽車、AI數據中心及人形機器人等多個場景。其中車規產品及AI電源模組出貨量分別按年激增約987%與670%。毛損率顯著改善，由2023年的−61.1%收窄至−19.5%，顯示產能利用率與成本控制成效提升。經調整淨虧損約為8.35億元，虧損幅度按年收窄。期末現金結餘達15.25億元，淨負債比率降至13.4%，流動比率提升至2.5倍，財務狀況改善。

集團8月1日發表公告指，與NVIDIA就其最新800V直流供電架構展開合作，旨在解決AI數據中心日益高漲的功耗問題。該架構可取代現時主流的54V系統，在提升效率、降低熱損耗與增加供電穩定性方面具有明顯優勢。

英諾賽科則以其第三代高壓GaN器件提供從800V輸入至GPU端的完整電源解決方案，涵蓋15V到1200V電壓範圍，為AI伺服器實現兆瓦級電力輸出提供基礎。不過，公告亦指出，目前雙方合作尚處於系統技術融合與測試階段，未有簽署正式供貨合同，實際能否轉化為訂單仍有待觀察。

值得注意的是，就在與NVIDIA合作消息前，英諾賽科亦完成一項策略配售，發行逾1,358萬股新H股，每股定價40.5元（港元，下同），籌資淨額約5.44億元，資金將用於擴充GaN產能、加強研發與技術平台升級。

除了AI應用外，英諾賽科亦積極開拓車規市場。公司與聯合汽車電子（UAES）於7月下旬宣布共同成立GaN技術聯合實驗室，未來將針對新能源車主驅逆變器、車載OBC及DC/DC轉換器等應用展開聯合開發。

從中長期角度看，這筆資金的到位有助公司強化生產能力、擴大研發資源，為未來量產鋪路。但從短期估值看，股價在消息前後急升，部分已反映該利好，若未來未有更多訂單跟進，調整壓力或會浮現。

技術分析方面，年內上市至今股價極為波動，今年第一季情山頂見頂回落後，四月初關稅戰期間曾一度低見31.6元，技巧逐漸修復室地，上週五及昨日連續兩日大幅上升，成交金額同步大幅增加，STC%K走高於%D，MACD由差距擴大，短線升勢雖未結束，但追高風險已然增加，加上現價明顯高於保力加通道頂，若果未來一兩個交易日成交金額縮減，不排除有獲利回吐可能，短線暫宜觀望，投資者而等待調整至55元以下水平在作吸納，並且要密切留意上述合作事宜有否變化。

黃德几

正向教育證券投資分析課程首席資深導師

證券商協會會董

香港股票分析師協會理事

金利豐證券研究部執行董事黃德几

證監會持牌人士

並無持有上述股份

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