三星電子和SK海力士據報計劃升級在華晶片廠，生產更先進的儲存晶片，以應對中國NAND生產商長江儲存的崛起。兩家韓企已證實相關消息，並就相關計劃與美國政府密切磋商。 路透引述知情人士稱，三星和SK海力士計劃在中國工廠生產超過200層的NAND快閃記憶體晶片，縮小與南韓先進產線的技術差距。其中，三星的陝西西安工廠目前生產約200層的NAND晶片，佔其全球NAND產量約40%；公司正透過內部代號為「Monami」的計劃，改造西安工廠，以生產286層的第九代V9 NAND晶片，目標在今年12月實現每月生產5000片晶圓，並於2027年12月提高至每月4萬片。 SK海力士則正計劃將遼寧大連工廠生產的NAND晶片，從目前的192層升級至240層或以上。消息稱，該公司已獲准在大連生產最高240層的晶片，並可能進一步向美國申請許可，在當地研發超過300層的晶片，為未來在美國生產相關產品奠定基礎。 美國自2022年起限制部分晶片製造設備出口中國以來，兩家公司若要在中國工廠安裝美國製造的蝕刻機等設備，必須每年向華盛頓申請許可。美國商務部工業與安全局(BIS)去年也表明，原則上只會批准維持現有中國工廠運作所需的設備出口，不會批准擴大產能或升級技術的申請。 三星強調工廠升級符合美國出口管制規定。此次升級旨在滿足全球客戶不斷增長的需求，公司並未擴大產能，也沒有建設新的製造設施。 美國的監管障礙限制了三星和SK海力士升級中國工廠的能力，導致市場份額被長江儲存蠶食。據市場研究機構Omdia數據，長江儲存第二季在中國NAND市場的市佔率達38.5%，高於去年全年的28%，並已超越三星。同期，三星的市佔率從36%降至33.5%，SK海力士則從20%降至17%。 知情人士稱，長江儲存目前主要生產160層和232層NAND晶片，亦少量生產294層產品，並計劃進一步開發超過300層的晶片。 相較之下，在中國以外的市場，三星目前銷售的NAND晶片最高達到286層，並在今年8月展示超過400層的原型產品；SK海力士則已推出最高321層的NAND晶片。 (WL)
<匯港通訊>