兩星期前，馬斯克公布Terafab計劃——這個新項目旨在為Tesla（TSLA）及SpaceX（已與xAI合併、準備IPO）自製半導體。
在馬斯克眼中，未來需要的芯片數量將是天文數字：他聲稱旗下企業每年需要高達1TW的運算能力；作比較，目前全球所有先進AI芯片產能加起來，每年只相當於20GW，大約只是馬斯克所需的2%。
上周事情再有新進展：Intel（INTC）宣布「加入」Terafab；Intel在社交平台貼文表示，將與SpaceX、xAI及Tesla合作，協助「重構」晶圓廠技術，以支持Terafab每年生產1TW算力的目標。
不過，合作聲明語氣相當籠統；畢竟Intel本身亦在大舉擴展自家代工服務——那麼，Intel Foundry會否成為Terafab一部分？它會代營Terafab？抑或兩者根本是不同實體？
巧合的是，在合作宣布同一天，Intel亦公布了一項技術突破，或正是今次結盟的核心原因——而這一點，對SpaceX未來有重大意義。
Intel突破：超薄GaN晶片小片
4月7日，IntelFoundry研究團隊發表部落格文章，介紹其最新成果：一款超薄氮化鎵（GaN）芯片小片（chiplet）。
GaN是一種複合半導體，較傳統矽在高電壓環境下更為堅固；Intel研究人員表示，他們已成功在標準300mm晶圓及現有設備上直接生長GaN，實現低成本量產；同時利用名為「stealth dicing before grinding」（SDBG）的新穎減薄工藝，將基底矽層厚度削減至僅19微米——約為一根頭髮寬度的五分之一。
更重要的是，Intel已成功在同一小片上同時整合GaN電力電子元件與矽基邏輯電路；傳統設計中，功率晶體管與控制邏輯必須分開：功率晶體管體積較大、散熱及電噪聲問題嚴重，若與邏輯晶體管太接近，容易互相干擾，因此一般會以獨立芯片實現，既佔空間亦造成能量損耗。
透過層轉移（layer transfer）工藝，Intel得以在GaN晶圓上混入傳統矽層，最終把高壓功率元件與細小邏輯元件整合在同一小片上，大幅縮減系統體積並減少訊號傳輸損耗；後續壓力測試亦證明，這種小片在高壓環境下仍具足夠可靠性。
為何SpaceX特別看重這項技術？
在Terafab簡報中，馬斯克強調未來大部分芯片產量將供應SpaceX，包括用於太空工業經濟及部署在衛星上的AI數據中心；但用於太空的半導體必須具備高度耐用性及抗輻射能力。
GaN芯片在太空應用中特別有用，因GaN對輻射較矽更具耐受力，而太陽輻射在太空環境極為普遍；Intel能製造更薄、更輕且更緊湊的GaN芯片，對SpaceX而言價值不言而喻——火箭每減少一點重量，都可節省大量燃料及發射成本；以目前估算，每磅有效載荷的發射成本仍介乎約1,000至1萬美元不等。
因此，Intel這項超薄GaN小片技術，正好符合SpaceX為太空數據中心及相關設備尋求高效、輕量、抗輻射芯片的需求。
財務影響仍言之尚早
考慮到Terafab投資規模可能以萬億美元計算，且建設期漫長，Intel與SpaceX合作帶來的實際財務影響，短期內難以體現；目前亦未清楚，Intel最終會否只授權技術，還是會與SpaceX及Tesla共同投資或營運Terafab。
然而，若未來合作細節逐步明朗，且對Intel角色愈見正面，考慮到馬斯克「年產1TW算力」的宏大願景，這段合作關係對Intel股價或將構成持續利好。
作者：Billy Duberstein, The Fool
原文刊登於 HKMoneyClub
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